一种提高B4-Flash器件耐久性的方法

摘要

本发明公开了一种提高B4-Flash器件耐久性的方法，通过提高浅沟槽结构的高度，还在源区离子注入时增加注入能量，增加源区结深，从而提高了器件的隔离效果，另外，在CCT刻蚀中，改变刻蚀阻挡层的薄膜结构，采用刻蚀选择比更高的氮化硅薄膜，从而减少了过刻蚀的量，从而有效地减少了器件的漏电现象，提高了B4-Flash器件耐久性。

主权项

一种提高B4‑Flash器件耐久性的方法，其特征在于，所述方法包括：S1：由下到上堆叠N阱衬底、隧穿氧化层、浮动栅极层以及氮化硅层形成一堆叠器件，并从所述堆叠器件上表面直至所述N阱衬底内部设置有一倒梯形的沟槽，在所述沟槽内部填充满二氧化硅并完全覆盖所述氮化硅层；S2：去除所述氮化硅上表面、所述氮化硅内部以及部分所述浮动栅极层内部的二氧化硅形成一浅沟槽隔离结构；S3：刻蚀去除所述浮动栅极层上表面的氮化硅层，在所述浅沟槽隔离结构以及所述浮动栅极层的上表面依次覆盖ONO层和控制栅极层；S4：通过刻蚀工艺去除所述N阱衬底上方多余的隧穿氧化层、浮动栅极层、ONO层和控制栅极层，并形成堆叠栅极结构；S5：在所述堆叠栅极结构两侧的N阱衬底内形成源区和漏区，所述源区的结深大于所述漏区的结深；S6：制备第一刻蚀阻挡层覆盖暴露在所述源区一侧的N阱衬底上表面以及堆叠栅极结构靠近源区的侧壁上；S7：在所述第一刻蚀阻挡层上方制备第一绝缘层；S8：在所述第一绝缘层和所述第一刻蚀阻挡层中位于所述源区上方的部分进行刻蚀，使刻蚀停止于所述源区的表面，形成第一互连区域；其中，所述刻蚀阻挡层的刻蚀选择比为16:1～20:1。