一种抗PID的氮化硅减反射膜

摘要

本实用新型公开一种抗PID的氮化硅减反射膜，所述氮化硅减反射膜包括沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜，其中，内层氮化硅减反射膜的折射率为1.8~2.2，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.0~2.5。在技术方面，本实用新型设计了双层结构的氮化硅减反射膜，使之具有抗PID作用。采用本实用新型双层氮化硅减反射膜设计的多晶硅太阳电池抗PID性能可达到IEC测试要求。具有抗PID性能的多晶硅太阳电池片产品的量产平均转换效率达到17.39%，成品率高、性能好。且将获得的多晶硅电池产品封装成72片标准组件后进行PID测试，组件功率下降了2.6%，符合产品要求。

主权项

一种抗PID的氮化硅减反射膜，其特征在于，所述氮化硅减反射膜包括沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜，内层氮化硅减反射膜的折射率为1.8~2.2，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.0~2.5。