发明名称 |
一种具有微纳结构的OLED制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有微纳结构的0LED制造方法,包括以下步骤:1)、分别在清洗后的石英基片上旋涂单层直径不同的二氧化硅纳米球;2)、对涂布有二氧化硅纳米小球的石英基片进行刻蚀,形成散射结构石英基片和增透结构石英基片;3)、将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上,烘烤待聚氨酯固化后,脱模得到具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具;4)、将上述聚氨酯模分别放置在聚碳酸酯基底的上下两端同时进行热压印,在聚碳酸酯基底形成散射结构和增透结构;5)、在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件。聚碳酸酯基底具有双面亚微米级结构,解决了OLED的聚合物基底上的图形化成本高,效率低且难以大面积制备的问题。 |
申请公布号 |
CN103545464B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201310462950.1 |
申请日期 |
2013.09.29 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
王莉;丁玉成;罗钰;李龙;严诚平;卢秉恒 |
分类号 |
H01L51/56(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L51/56(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
蔡和平 |
主权项 |
一种具有微纳结构的0LED的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、分别在清洗后的石英基片上旋涂单层第一二氧化硅纳米球和第二二氧化硅纳米球,第一二氧化硅纳米球的直径大于第二二氧化硅纳米球直径;2)、对涂布有第一二氧化硅纳米小球和第二二氧化硅纳米球的石英基片进行刻蚀,涂布第一二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为散射结构石英基片,涂布第二二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为增透结构石英基片;3)、对刻蚀后的两种石英基片进行清洗、烘干后,将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上,在70℃下烘烤1h,待聚氨酯固化后,脱模得到具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具;4)、将具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具分别放置在聚碳酸酯基底的上下两端同时进行热压印,在聚碳酸酯基底形成散射结构和增透结构;热压印通过键合机进行,热压印参数为温度150℃,压力为50kg/cm<sup>2</sup>,持续时间为5分钟;5)、在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |