化学机械抛光装置

摘要

涉及一种化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上部面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，向抛光垫加压晶片，并进行旋转；第一传感器，设置在抛光平板上，与抛光平板一同旋转，当经过晶片的下侧时，接收包含晶片抛光层厚度信息的输出信号；传感器旋转位置检测部，检测与抛光平板一同旋转的第一传感器的旋转位置；晶片旋转位置检测部，检测晶片的旋转位置；控制部，计算出与第一传感器通过晶片下侧的轨迹对应的晶片的抛光层厚度，第一传感器通过晶片下侧的轨迹是由传感器旋转位置检测部和晶片旋转位置检测部来检测的。

主权项

一种化学机械抛光装置，作为晶片的化学机械抛光装置，其特征在于，包括：抛光平板，上面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，向所述抛光垫加压晶片，并旋转；第一传感器，设置在所述抛光平板上，并与所述抛光平板一同旋转，当经过所述晶片的下侧时，接收包含所述晶片的抛光层厚度信息的输出信号；传感器旋转位置检测部，用于检测与所述抛光平板一同旋转的所述第一传感器的旋转位置；晶片旋转位置检测部，用于检测所述晶片的旋转位置；以及控制部，计算出与所述第一传感器通过所述晶片下侧时的轨迹对应的所述晶片的抛光层厚度，其中，所述第一传感器通过所述晶片下侧时的轨迹是由所述传感器旋转位置检测部和所述晶片旋转位置检测部来检测的。