发明名称 发光二极管晶粒
摘要 一种发光二极管晶粒,包括一衬底、依次设置在该衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层及分别与该N型半导体层和P型半导体层电连接的N电极和P电极,该N电极设置在N型半导体层的上,该P电极设置在P型半导体层上,还包括设置在P型半导体层和P电极之间的阻挡层,所述阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料,所述至少两种材料堆叠设置。与现有技术相比,本发明提供的发光二极管晶粒中的阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料,所述至少两种材料堆叠设置,该阻挡层采用成本较低的金属材料堆叠而成,同时成型该阻挡层时无需特殊机台进行制作,从而降低整个发光二极管晶粒的成本。
申请公布号 CN105870280A 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201510029268.2 申请日期 2015.01.21
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 黄建翔;洪梓健
分类号 H01L33/14(2010.01)I 主分类号 H01L33/14(2010.01)I
代理机构 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人 汪飞亚
主权项 一种发光二极管晶粒,包括一衬底、依次设置在该衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层及分别与该N型半导体层和P型半导体层电连接的N电极和P电极,该N电极设置在N型半导体层的上,该P电极设置在P型半导体层上,其特征在于:还包括设置在P型半导体层和P电极之间的阻挡层,所述阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料,所述至少两种材料堆叠设置。
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