发明名称 |
发光二极管晶粒 |
摘要 |
一种发光二极管晶粒,包括一衬底、依次设置在该衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层及分别与该N型半导体层和P型半导体层电连接的N电极和P电极,该N电极设置在N型半导体层的上,该P电极设置在P型半导体层上,还包括设置在P型半导体层和P电极之间的阻挡层,所述阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料,所述至少两种材料堆叠设置。与现有技术相比,本发明提供的发光二极管晶粒中的阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料,所述至少两种材料堆叠设置,该阻挡层采用成本较低的金属材料堆叠而成,同时成型该阻挡层时无需特殊机台进行制作,从而降低整个发光二极管晶粒的成本。 |
申请公布号 |
CN105870280A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201510029268.2 |
申请日期 |
2015.01.21 |
申请人 |
展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
黄建翔;洪梓健 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 |
代理人 |
汪飞亚 |
主权项 |
一种发光二极管晶粒,包括一衬底、依次设置在该衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层及分别与该N型半导体层和P型半导体层电连接的N电极和P电极,该N电极设置在N型半导体层的上,该P电极设置在P型半导体层上,其特征在于:还包括设置在P型半导体层和P电极之间的阻挡层,所述阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料,所述至少两种材料堆叠设置。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |