陶瓷真空继电器改良结构

摘要

本发明公开了一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩，可有效提高继电器的电负载寿命，并不会对继电器性能产生不良影响；同时在陶瓷真空密封罩内设一台阶，并在台阶上设了一层金属层，可以方便的将屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。

主权项

一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩(1)和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，其特征在于：在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩(2)；所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上；所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上的结构为：所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面开口的圆柱形，在所述陶瓷真空密封罩的内侧面上沿其周向设有一远离其轴线的台阶(11)，该台阶上间隔设有若干个凸起(12)，所述屏蔽罩开口的表面上向外一周设有凸棱(21)，所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩内时该凸棱正好置于所述台阶上，且该凸棱上对应所述台阶的凸起处设有凹槽(22)；所述台阶表面设有一层金属层。