并噻吩并吡咯醌式化合物、制备方法及包含该材料的半导体设备

摘要

本发明公开了一类并噻吩并吡咯醌式化合物、制备方法及其作为半导体活性层在有机场效应晶体管中的应用。该类化合物具有分子骨架平面性好、自组装能力强、LUMO能级低、能级带隙窄、对氧气和水不敏感等特点，吡咯结构的引入便于通过对取代基的修饰而调节样品溶解性，利于进行溶液加工。由旋涂法制备以化合物Ia为半导体层的有机场效应晶体管具有优良的双极型场效应性能(μ_h＝5.3×10^‑3cm²V^‑1s^‑1,μ_e＝7.7×10^‑3cm²V^‑1s^‑1)。其开关电流比在10⁴以上，且在空气中稳定，具有重要的应用价值。

主权项

具有下述通式I的并噻吩并吡咯醌式化合物：其中，R选自一价可溶性基团。