具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置

摘要

本发明公开了一种磁性装置，包括T形磁芯、线圈以及磁性体。T形磁芯包括底座以及柱体，且由退火软质磁性金属材料制成，T形磁芯的磁芯损耗P_CL(mW/cm³)满足下列不等式：0.64*f^0.95*B_m^2.20≤P_CL≤7.26*f^1.41*B_m^1.08，其中，f(kHz)表示适用于T形磁芯的磁场的频率，且B_m(kGauss)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度。磁性体完全覆盖柱体、位于底座的底表面上方的底座的任何部位以及位于底座的顶表面正上方的线圈的任何部位。因此，本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置可达成在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗的功效。

主权项

一种磁性装置，其特征在于，所述磁性装置包括：T形磁芯，包括底座以及柱体，所述底座具有第一表面以及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对，所述柱体位于所述底座的所述第一表面上，所述底座的所述第二表面暴露于外在环境而作为所述磁性装置的外表面，所述T形磁芯由退火软质磁性金属材料制成，所述T形磁芯的磁芯损耗P_CL(mW/cm³)满足下列不等式：0.64*f^0.95*B_m^2.20≤P_CL≤7.26*f^1.41*B_m^1.08，其中，f(kHz)表示适用于所述T形磁芯的磁场的频率，且B_m(kGauss)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度；线圈，缠绕于所述柱体，所述线圈具有二引脚；以及磁性体，完全覆盖所述柱体，位于所述底座的所述第二表面上方的所述底座的任何部位以及位于所述底座的所述第一表面正上方的所述线圈的任何部位，所述磁性体的导磁率是μ_B，μ_B≥4.8，所述磁性体的磁芯损耗P_BL(mW/cm³)满足下列不等式：2*f^1.29*B_m^2.2≤P_BL≤14.03*f^1.29*B_m^1.08。