发明名称 | 薄膜沉积装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种薄膜沉积装置,在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端,并且所述等离子体单元包括栅格。 | ||
申请公布号 | CN105839076A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
申请号 | CN201610077444.4 | 申请日期 | 2016.02.03 |
申请人 | 成均馆大学校产学协力团 | 发明人 | 徐祥准;刘址范;郑昊均;赵成珉 |
分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
主权项 | 一种薄膜沉积装置,其包括:衬底加载单元,将衬底加载在该衬底加载单元上;衬底传送单元,其连接于所述衬底加载单元并被配置成交替地移动所述衬底;以及薄膜沉积单元,其被配置成在所述衬底上沉积薄膜,其中所述薄膜沉积单元包括等离子体模块,所述等离子体模块包括相互独立的源单元和等离子体单元,所述等离子体模块的所述等离子体单元包括:进口单元,通过该进口单元引入等离子体气体;等离子体存储单元,其存储通过所述进口单元引入的所述等离子体气体;以及多个等离子体生成单元和多个源单元,其交替地配置在所述等离子体存储单元的下端,并且其中所述等离子体模块进一步包括栅格。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |