| 摘要 |
1. Лазерный модуль, содержащий несколько подмодулей (1), размещенных вдоль первой оси (10) бок о бок на общем носителе, причем каждый из упомянутых подмодулей (1) содержит область (8) лазера, образованную одной или несколькими матрицами полупроводниковых лазеров (5) на поверхности подмодулей (1), и при этом лазерное излучение, испускаемое упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5), образует распределение интенсивности в рабочей плоскости, обращенной к упомянутой поверхности подмодулей (1),причем упомянутые подмодули (1) и области (8) лазера выполнены и размещены так, что выступы областей (8) лазера смежных подмодулей (1) частично перекрываются в направлении, перпендикулярном упомянутой первой оси, причем упомянутые области (8) лазера образованы компоновкой из упомянутых матриц полупроводниковых лазеров (5), которая содержит два параллельных боковых края (3), при этом упомянутые параллельные боковые края (3) смежных областей (8) лазера параллельны друг другу и наклонены под углом β к упомянутой первой оси (10), причем 0˚<β<90˚, причем упомянутые области (8) лазера выполнены с возможностью генерировать однородное распределение интенсивности в рабочей плоскости в направлении, параллельном первой оси посредством наклоненной компоновки областей (8) лазера.2. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутая компоновка упомянутых матриц полупроводниковых лазеров (5) образует прямоугольную область.3. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутый угол β выбран согласно условию: H×cosβ=n×(B+G)/sinβ, где n - любое целое число, В - ширина прямоугольных областей (8) лазера, H - длина прямоугольных областей (8) лазера, и G - ширина зазора между областями (8) лазера смежных подмодулей (1).4. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутые |
