硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法

摘要

本发明揭示用于形成包括经掺杂硫属化合物材料的存储器存取装置的自对准制作方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。

主权项

一种形成存储器装置的方法，其包括：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置；及在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据，其中由经掺杂硫属化合物材料形成所述存储器存取装置，且使用自对准制作方法形成所述存储器存取装置，其中所述经掺杂硫属化合物材料仅选择性地形成在所述第一导电电极的暴露部分上的所述通孔中，其中用于形成所述存储器存取装置的所述自对准制作方法包括使用电化学沉积来沉积所述经掺杂硫属化合物材料。