半导体器件及其形成方法

摘要

提供了一种电阻器系统和用于形成该电阻器系统的方法。实施例包括形成U形的电阻器。电阻器可以包括多层导电材料，具有填充U形的剩余部分的介电层。电阻器可以与双金属栅极制造工艺结合或者可以与多种类型的电阻器结合。本发明还提供了半导体器件及其形成方法。

主权项

一种半导体器件，包括：第一介电层，位于半导体衬底上方；开口，位于所述第一介电层内；第二介电层，内衬所述开口；势垒金属层，在所述开口内上覆所述第二介电层；栅极金属层，在所述开口内上覆所述势垒金属层；以及第三介电层，位于所述开口内且位于所述栅极金属层上方并与所述栅极金属层接触，其中，所述势垒金属层和所述栅极金属层形成第一电阻器；位于所述半导体衬底上的PMOS器件，其中，所述PMOS器件包括栅电极，所述栅电极包括第一材料，所述势垒金属层包括所述第一材料；位于所述半导体衬底上的NMOS器件，其中，所述NMOS器件不包括所述第一材料，其中，所述PMOS器件、所述NMOS器件以及所述第三介电层都具有相互共面的顶面。