LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

主权项

一种LDMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层和外延层；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层，所述漂移区场氧化层的厚度为200nm；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述漂移区场氧化层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层；在所述基底上形成漂移区场氧化层，具体包括：在所述第一氮化硅层上形成具有漂移区图案的光刻胶层；以所述具有漂移区图案的光刻胶层为掩膜对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀；其中，对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀的角度为85°～90°，形成上宽下窄形状的槽结构；以漂移区外的第一氮化硅层为掩膜采用热氧化生长工艺在基底上形成漂移区场氧化层，所述漂移区场氧化层一部分延伸至所述外延层内，一部分裸露在所述外延层外，所述漂移区场氧化层延伸至所述外延层内的厚度为90nm，裸露在所述外延层外的厚度为110nm。