| 发明名称 | 一种GaN HEMT器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，包括：衬底；SiC晶须，所述SiC晶须位于所述衬底上，且所述SiC晶须呈周期性图形结构；Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N成核层，所述Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N成核层位于所述SiC晶须周围及上方；GaN沟道层，所述GaN沟道层位于所述Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N成核层上；势垒层，所述势垒层位于所述GaN沟道层上；栅极、漏极、源极，所述源极和漏极分别位于所述势垒层的左右两侧，所述栅极位于所述势垒层的中间，进而提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN205428942U | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201620226322.2 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 成都海威华芯科技有限公司 | 发明人 | 陈一峰 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人 | 胡川 |
| 主权项 | 一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；SiC晶须，所述SiC晶须位于所述衬底上，且所述SiC晶须呈周期性图形结构；Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N成核层，所述Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N成核层位于所述SiC晶须周围及上方，0≤y≤1；GaN沟道层，所述GaN沟道层位于所述Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N成核层上；势垒层，所述势垒层位于所述GaN沟道层上；栅极、漏极、源极，所述源极和漏极分别位于所述势垒层的左右两侧，所述栅极位于所述势垒层的中间。 | ||
| 地址 | 610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内 | ||