发明名称 动态MOSFET栅极驱动器
摘要 这里的实施例描述一种动态金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器系统架构和控制方案。MOSFET栅极驱动器系统在单个(即一个)切换周期内动态调整栅极驱动器接通电阻和栅极驱动器关断电阻以减少系统中的电磁干扰(EMI)并且使功率MOSFET在操作期间的传导损耗最小。
申请公布号 CN103095137B 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201210407021.6 申请日期 2012.10.16
申请人 戴乐格半导体公司 发明人 李勇;史富强;A·K-C·李;D·阮;陈江
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华;张宁
主权项 一种切换功率转换器,包括:变压器,包括:初级绕组,耦合到输入电压;以及次级绕组,耦合到所述切换功率转换器的输出;场效应晶体管开关,耦合到所述变压器的所述初级绕组,在所述场效应晶体管开关接通之时生成经过所述初级绕组的电流,而在所述场效应晶体管开关关断之时不生成经过所述初级绕组的电流;以及驱动器控制电路,包括:第一场效应晶体管,具有可变接通电阻;第二场效应晶体管,与所述第一场效应晶体管串联耦合并且也具有可变接通电阻,其中所述场效应晶体管开关的栅极耦合到在所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管之间的节点,其中所述驱动器控制电路被配置成生成用于在所述场效应晶体管开关的多个切换周期期间接通或者关断所述场效应晶体管开关的控制信号,所述切换周期中的每个切换周期包括其中所述场效应晶体管开关接通的第一部分和其中所述场效应晶体管开关关断的第二部分,并且所述驱动器控制电路调整所述第一场效应晶体管的接通电阻以将所述控制信号的量值从所述场效应晶体管开关的所述切换周期的至少一个切换周期的第一部分的第一持续时间期间的第一电平调整至所述切换周期的所述一个切换周期的所述第一部分的第二持续时间期间的第二电平,所述第二电平高于所述第一电平,所述第二持续时间在时间上晚于所述第一持续时间。
地址 美国加利福尼亚州
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