堆叠式双芯片封装结构及其制备方法

摘要

本发明一般涉及一种功率半导体器件及制备方法，更确切的说，本发明涉及一种利用倒装芯片的方式和应用额外的两个互联板来制备包含双MOSFET的堆叠式封装结构。将第一芯片实施偏移来倒装安装在基座上，使第一芯片具有与第三引脚形成交叠的交叠区，并利用第一互联板来连接第一芯片的背部金属层和第一引脚的键合区，以及将第二芯片实施偏移来倒装安装在第一互联板的主平板部分上，使第二芯片具有与第四引脚形成交叠的交叠区，之后利用第二互联板来连接第二芯片的背部金属层和第二引脚的键合区。

主权项

一种堆叠式双芯片封装，其特征在于，包括：一引线框，至少包括一基座及分别设置在基座左侧的第一引脚和右侧的第二引脚，以及包括第三、第四引脚，其中，第三、第四引脚两者同时设于基座的后侧或前侧，或一者设于基座后侧而另一者设于基座前侧；一个以向第三引脚的方向偏移并倒装安装在基座上的第一芯片，其偏移至具有与第三引脚形成交叠的交叠区，其中，设置于第一芯片正面的第一电极上的多个互连结构连接至基座的正面；一第一互联板，用于连接第一芯片的背部金属层和第一引脚的沿着与基座左侧边缘长度方向相平行的方向延伸的键合区，其包括位于第一芯片之上的一个主平板部分；一个以向第四引脚的方向偏移并倒装安装在第一互联板的主平板部分上的第二芯片，其偏移至具有与第四引脚形成交叠的交叠区，其中，设置于第二芯片正面的第三电极上的多个互连结构连接至第一互联板的主平板部分的上表面；一第二互联板，用于连接第二芯片的背部金属层和第二引脚的沿着与基座右侧边缘长度方向相平行的方向延伸的键合区，其包括位于第二芯片之上的一个主平板部分；其中，第一芯片的交叠区的正面设置有通过互连结构连接到第三引脚上的一个第二电极，及第二芯片的交叠区的正面设置有通过互连结构连接到第四引脚上的一个第四电极。