处理系统的降温方法

摘要

一种处理系统的降温方法，处理系统为用于制造大面积薄膜的PECVD系统，该应用系统包括真空室、位于真空室内并用于在第一温度下处理基底的等离子体反应器，所述降温方法包括：开启第二进气口，向第二进气口通入热传导气体，使等离子体反应器及真空室内填充有热传导气体且压力均达到预设值0.3mbar～2.5mbar；保持等离子体反应器及真空室的压力，直至等离子体反应器的温度为第二温度。本发明可大幅度缩短等离子体反应器的降温时间，提高了处理系统的设备稼动率、产能，而且降温过程很平稳，能确保等离子体反应器中的部件不会由于温度骤降而造成形变，防止出现由于等离子体反应器中的部件形变导致的造成等离子体密度不均匀的问题，且保证了最终得到的薄膜质量。

主权项

一种处理系统的降温方法，其特征在于，所述处理系统为用于制造大面积薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，所述处理系统包括真空室、位于所述真空室内并用于在第一温度下处理基底的等离子体反应器，所述真空室设有第一进气口、第一出气口，所述等离子体反应器设有第二进气口、第二出气口，所述第一进气口与第二进气口相互独立，所述第一出气口与第二出气口相互独立，所述等离子体反应器还设有通向所述真空室的门，所述降温方法用于将所述第一温度下的等离子体反应器冷却至第二温度，所述降温方法包括：开启所述第二进气口，向所述第二进气口通入热传导气体，使所述等离子体反应器及真空室内填充有所述热传导气体且压力均达到预设值；保持所述等离子体反应器及真空室的压力，直至所述等离子体反应器的温度为所述第二温度；其中，所述预设值为0.3mbar～2.5mbar。