半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS-TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄，对第一晶圆和第二晶圆的损伤较小，有效提高了MEMS-TSV键合结构的生产效率。由于第一晶圆和第二晶圆之间密封，刻蚀液不会从对第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，不会对晶圆键合结构造成损伤，提高了MEMS-TSV键合结构的质量。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆中形成有MEMS结构，所述第二晶圆中形成有TSV结构；使所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，形成晶圆键合结构；对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理；将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄。