发明名称 |
一种3D NAND源极选择管及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种3D NAND源极选择管及其制作方法。该方法包括:提供衬底,并在衬底上形成第一栅极氧化层,GSL氮化硅层,多个堆叠的氧化介质层和牺牲介质层,SSL氮化硅层,以及保护氧化层;刻蚀形成暴露出衬底的圆柱型沟道,并在沟道露出的衬底表面形成单晶硅外延层;在沟道内依次形成阻挡氧化层、电子俘获层、隧穿氧化层、多晶硅和多晶硅隔离介质层;刻蚀形成暴露出衬底的源极沟槽,并形成公共源极;湿法刻蚀去除氮化硅层,露出单晶硅外延层的侧面;在所述单晶硅外延层的侧面形成GSL栅极氧化层;在所述源极沟槽的侧壁和氧化介质层内壁形成栅极层。该方法提高了GSL栅极氧化层的厚度,并避免对其损害,提高了GSL的可靠性。 |
申请公布号 |
CN105810640A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201410855753.0 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
熊涛;刘钊;许毅胜;舒清明 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
胡彬;邓猛烈 |
主权项 |
一种3D NAND源极选择管的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底,并在衬底上依次形成第一栅极氧化层,源极选择管氮化硅层,多个堆叠的氧化介质层和牺牲介质层,漏极选择管氮化硅层,以及保护氧化层,其中,所述牺牲介质层形成于相邻的氧化介质层之间;刻蚀形成暴露出衬底的圆柱型沟道,并在圆柱型沟道露出的衬底表面形成单晶硅外延层;在圆柱型沟道内依次形成阻挡氧化层、电子俘获层、隧穿氧化层、多晶硅和多晶硅隔离介质层,其中,所述多晶硅隔离介质层形成于所述多晶硅的内部;刻蚀形成暴露出衬底的源极沟槽,并形成公共源极;湿法刻蚀去除氮化硅层,露出单晶硅外延层的侧面;在所述单晶硅外延层的侧面形成源极选择管的第二栅极氧化层;在所述源极沟槽的侧壁和氧化介质层内壁形成栅极层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15 |