发明名称 三维分级碳包覆NaTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/C微米花电极材料及其制备方法和应用
摘要 本发明涉及三维分级碳包覆NaTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/C微米花电极材料及其制备方法和应用,其直径约为5‑10μm;碳包覆NaTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/C纳米片亚单元厚度仅为1‑5nm,且其内部有孔径大小为2‑30nm的介孔,其表面碳层厚度为2‑5nm,所述的纳米片亚单元相互搭接形成了一个三维导电网络。本发明的有益效果:本发明主要是通过简单易行的溶剂热法结合高温煅烧法制备了三维分级碳包覆NaTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/C微米花,其作为钠离子电池负极活性材料时,表现出优异的高倍率性能和稳定的长循环能力。本发明工艺简单,可行性强,所采用的溶剂热法及煅烧处理对设备要求低,安全系数高,可扩大生产,有利于市场化推广。
申请公布号 CN105810912A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610305281.0 申请日期 2016.05.10
申请人 武汉理工大学 发明人 麦立强;徐畅
分类号 H01M4/36(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/054(2010.01)I 主分类号 H01M4/36(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 崔友明
主权项 一种三维分级碳包覆NaTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/C微米花,其直径约为5‑10μm;碳包覆NaTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/C纳米片亚单元厚度仅为1‑5nm,且其内部有孔径大小为2‑30nm的介孔,其表面碳层厚度为2‑5nm,所述的纳米片亚单元相互搭接形成了一个三维导电网络。
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