| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除接触孔开口中的蚀刻聚合物。本发明所述方法中在形成接触孔开口之后，首先执行预清洗的步骤，例如选用水或者双氧水等进行预清洗，然后选用SPM和SC1进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物，由于执行了预清洗步骤，能够容易将粘度较大的硫酸双氧水混合试剂(SPM)滴入到所述接触孔开口中，使硫酸双氧水混合试剂(SPM)与蚀刻聚合物充分的反应，以更容易的去除所述蚀刻聚合物，避免接触孔缺失的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105789203A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410837905.4 | 申请日期 | 2014.12.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 梁海慧 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||