SUBSTRATE FOR MASK BLANK, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTIVE FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK BLANK, TRANSMISSIVE MASK, REFLECTIVE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

리소그래피에 사용되는 마스크 블랭크용 기판으로서, 상기 기판의 전사 패턴이 형성되는 측의 주 표면에 있어서의 1㎛×1㎛의 영역을, 원자간력 현미경으로 측정하여 얻어지는 베어링 에리어(％)와 베어링 깊이(㎚)의 관계에 있어서, 베어링 에리어 30％를 BA, 베어링 에리어 70％를 BA, 베어링 에리어 30％ 및 70％에 대응하는 베어링 깊이를 각각 BD및 BD이라 정의했을 때에, 상기 기판의 주 표면이, (BA-BA)/(BD-BD)≥350(％/㎚)의 관계식을 만족하면서, 최대 높이(Rmax)≤1.2㎚로 한 구성으로 하고 있다.