发明名称 |
一种氧化亚铜基多叠层异质结太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氧化亚铜基多叠层异质结太阳能电池器件的制备方法,所述电池包括:玻璃衬底;N‑Na共掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜层,形成在所述玻璃衬底的一面;AgInZnS量子点层,形成在所述N‑Na共掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜层上;ZnO透明层,形成在所述AgInZnS量子点层上;阴阳两极,阴极位于所述ZnO透明层上,阳极位于所述N‑Na共掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜层上。本发明利用AgInZnS量子点作ZnO/Cu<sub>2</sub>O异质结电池的中间层材料,拓展吸收光谱范围,可望增强光的吸收和转化。同时,AgInZnS量子点可实现调节各材料能级之间的匹配,加速电子和空穴的分离,提高电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN105762219A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201610316088.7 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
重庆大学 |
发明人 |
臧志刚;魏靖;叶颖;唐孝生 |
分类号 |
H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0328(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0725(2012.01)I |
代理机构 |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人 |
赵荣之 |
主权项 |
一种氧化亚铜基多叠层异质结太阳能电池,其特征在于,所述电池包括:玻璃衬底;N‑Na共掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜层,形成在所述玻璃衬底的一面;AgInZnS量子点层,形成在所述N‑Na共掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜层上;ZnO透明层,形成在所述AgInZnS量子点层上;阴阳两极,阴极位于所述ZnO透明层上,阳极位于所述N‑Na共掺杂Cu<sub>2</sub>O薄膜层上。 |
地址 |
400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 |