| 发明名称 | 位恢复系统 | ||
| 摘要 | 特定设备包括基于电阻的存储器器件、标记随机存取存储器(RAM)、以及位恢复(BR)存储器。基于电阻的存储器器件被配置成存储数据值以及与该数据值相关联的纠错码(ECC)数据。标记RAM被配置成存储将主存储器的存储器地址映射到高速缓存存储器的字线的信息，其中该高速缓存存储器包括基于电阻的存储器器件。BR存储器被配置成存储与该数据值相关联的附加纠错数据，其中BR存储器对应于易失性存储器器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105765538A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201480064456.2 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | T·金;J·P·金;S·金 |
| 分类号 | G06F11/10(2006.01)I;G06F12/00(2006.01)I | 主分类号 | G06F11/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李小芳 |
| 主权项 | 一种装置，包括：基于电阻的存储器器件，其被配置成存储数据值以及与所述数据值相关联的纠错码(ECC)数据；标记随机存取存储器(RAM)，其被配置成存储将主存储器的存储器地址映射到高速缓存存储器的字线的信息，其中所述高速缓存存储器包括所述基于电阻的存储器器件；以及位恢复(BR)存储器，其被配置成存储与所述数据值相关联的附加纠错数据，其中所述BR存储器对应于易失性存储器器件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||