改善晶体硅太阳能电池片LID和PID的方法及装置

摘要

本发明公开了一种改善晶体硅太阳能电池片LID和PID的方法及装置，旨在提供一种提高电池片转换效率并改善晶体硅太阳能电池片LID和PID的方法及装置。它具体在常规晶体硅太阳能电池片生产的扩散清洗工艺之后实施，硅片在光辐照条件下分别进行氢化和氧化两个关键工艺，以实现晶体硅硼氧键的钝化和发射区表面SiO₂薄膜的生长。本发明的有益效果是：只需要在常规的晶体硅太阳能电池片生产工艺中增加两道工艺，以实现晶体硅硼氧键的钝化和发射区表面SiO₂薄膜的生长，便可在改善电池片LID和PID的同时，提高了电池片的转换效率，具有产业化推广的可行性与经济性。

主权项

改善晶体硅太阳能电池片LID和PID的方法，其特征是，在常规晶体硅太阳能电池片生产的扩散清洗工艺之后实施，硅片在光辐照条件下分别进行氢化和氧化两个关键工艺，以实现晶体硅硼氧键的钝化和发射区表面SiO₂薄膜的生长，具体操作步骤如下：(1)硅片分选后，在碱性溶液中进行粗抛去除杂质和损伤层；(2)碱性溶液或者酸性溶液中制绒后，清洗，甩干；(3)扩散炉中进行高温磷扩散，形成pn结后，刻蚀去边结和二次清洗去除PSG；(4)氢化工艺：硅片放入到传送系统上，输送至具有1000‑3000mTorr压强的反应腔，氢发生装置开始工作，经过等离子系统产生的激发源形成氢等离子体，扩散至硅片，10‑30min后，关闭激发源，开始加热腔室，腔室加热在100‑200℃之间，10‑30min后，开始进行光辐照硅片，在1‑15min后，腔室开始降温，在降温的过程中，保持光辐照，至50℃以下停止辐照；(5)氧化工艺：通入氮气清洗反应腔室后，调节腔体压强，反应腔加热在150‑300℃之间，臭氧发生装置以流量100‑5000sccm通入臭氧，待温度和气流稳定，进行紫外光照处理，氧化处理过后，在发射区表面形成一层致密氧化层，腔室开始降温，至50℃以下，硅片经由传送系统输送至出料台；(6)进行正面减反层沉积，采用PECVD在发射区上沉积一层SiN_x；(7)背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后，进行测试分选。