| 发明名称 | 具有上覆柵极结构的基板电阻器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有上覆柵极结构的基板电阻器。一种电阻器装置，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个柵极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。一种方法，包括：施加偏压电压于至少一第一柵极结构，该第一柵极结构设置在绝缘层之上，其中，该绝缘层设置于电阻器本体之上，而该电阻器本体设置于基板中，且该第一柵极结构以第一类型掺杂物掺杂以影响该电阻器本体的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN105742271A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201510998958.9 | 申请日期 | 2015.12.28 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | J·辛格 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种电阻器，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个柵极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||