发明名称 |
相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模 |
摘要 |
本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模,其中,该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性,可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料,其特征在于,在透光性基板上具备半透光膜,所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成,所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。 |
申请公布号 |
CN105739233A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610184327.8 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
HOYA株式会社 |
发明人 |
野泽顺;宍户博明;酒井和也 |
分类号 |
G03F1/26(2012.01)I;G03F1/32(2012.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/26(2012.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种相移掩模坯料,其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模坯料,其特征在于,在透光性基板上具备半透光膜,所述半透光膜由以过渡金属M、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成,所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率M/(M+Si)小于5%,所述半透光膜的氮含量为40原子%以上47原子%以下。 |
地址 |
日本东京都 |