发明名称 一种制备导电氧化铟锡锌薄膜的方法
摘要 本发明的目的是提供一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法,在制备新型氧化铟锡锌靶材的过程中,添加高含量的氧化锌元素的形成氧化铟锡锌材料,溅镀薄膜时搭配中间层的银或银合金薄膜,形成三明治的多层薄膜结构设计,大幅降低薄膜的电阻,在适当的厚度控制下提高薄膜在可见光的透光度,提高了氧化铟锡锌薄膜在触控屏及CIGS等薄膜光电池中的应用性,满足了生产的要求。由于适合低温度(&lt;150℃)镀膜,所以可以应用于玻璃基材或者可挠性PET基材,扩大了应用范围。电阻值可降低至5×10<sup>-5</sup>Ωcm以下,透光性可高达95%以上。
申请公布号 CN103572230B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201310541033.2 申请日期 2013.11.05
申请人 研创应用材料(赣州)股份有限公司 发明人 黄信二
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 江西省专利事务所 36100 代理人 杨志宇
主权项 一种制备导电氧化铟锡锌薄膜的方法,其特征为:将基板、纯银或银合金靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10<sup>‑5</sup>‑0.9×10<sup>‑5</sup> torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10<sup>‑3</sup>torr,基板不加热,接着先以DC电源溅镀第一层10‑50nm厚的氧化铟锡锌薄膜,然后以DC电源溅镀第二层5‑15nm厚的纯银或银合金薄膜,最后以DC电源溅镀第三层10‑50nm厚的氧化铟锡锌薄膜,即形成所需的基板/ITZO/银或银合金/ITZO多层膜结构,即得。
地址 341000 江西省赣州市开发区香港工业园北区标准厂房六栋
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