射频LDMOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种射频LDMOS晶体管，包含：P型外延层、背面金属电极、P阱、P+sinker区、N‑漂移区、多晶硅栅极、栅氧化层，多晶硅栅极的上方右侧设有法拉第罩，法拉第罩包括阶梯状金属层和多个块状金属层，法拉第罩与半导体表面之间设有二氧化硅介质层；本发明还提供一种射频LDMOS晶体管的制作方法，包括步骤：形成P型外延层、P+sinker区、多晶硅栅极、P阱、N+源极、轻掺杂N‑漂移区、N+漏极，淀积二氧化硅介质层，淀积金属层形成阶梯型金属层以及块状金属层，构成法拉第罩；本发明覆盖在漂移区上方的源场板面积更小，可以在不增加栅漏电容的前提下有效地减少器件的源漏电容，提高器件的频率特性，使电场分布更加均匀，并降低栅边缘的电场强度。

主权项

一种射频LDMOS晶体管，包含：在P+衬底(1)上方的P型外延层(2)、P+衬底(1)下方的背面金属电极(14)、P型外延层(2)内部的P阱(5)、P阱左侧的P+sinker区(8)、P阱右侧的N‑漂移区(6)，P阱中N+区构成N+源极(7)，N‑漂移区中N+区构成N+漏极(9)，所述P阱中N+源极右侧上方至N‑漂移区左侧上方设有多晶硅栅极(4)，多晶硅栅极下方设有栅氧化层(3)，P+sinker和N+源极的上方设有源极金属(12)，N+漏极的上方设有漏极金属(13)，其特征在于：所述多晶硅栅极(4)的上方右侧设有法拉第罩(11)，所述法拉第罩包括阶梯状金属层(110)和沿多晶硅栅极方向排布的多个块状金属层(111)，所述法拉第罩与半导体表面之间设有二氧化硅介质层(10)。