| 发明名称 | 具有可重复的双极阻抗开关特性的Ⅲ族氮化物忆阻器 | ||
| 摘要 | 具有可重复的双极阻抗开关特性的Ⅲ族氮化物忆阻器，属于微电子技术领域，填补了Ⅲ族氮化物半导体材料体系在微电子领域的空白。本发明的忆阻器，包括衬底；在衬底上原位生长的Ⅲ族氮化物半导体材料，所述Ⅲ族氮化物半导体材料包括依次生长的低温GaN成核层、GaN材料、Si掺杂的N型GaN材料和AlN材料；AlN台面，对AlN材料进行掩膜，刻蚀出AlN台面；Ni电极，在AlN台面上制作Ni电极；Ti/Al电极，在Si掺杂的N型GaN材料上制作Ti/Al电极。本发明在原位生长的Ⅲ族氮化物半导体材料上制备忆阻器，该忆阻器具有双极阻抗开关特性，并且该特性具备可重复性和稳定性，具有满足非易失性存储功能。 | ||
| 申请公布号 | CN105720193A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201610073857.5 | 申请日期 | 2016.02.02 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 陈一仁;宋航;黎大兵;蒋红;李志明;孙晓娟;缪国庆;张志伟 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 于晓庆 |
| 主权项 | 具有可重复的双极阻抗开关特性的Ⅲ族氮化物忆阻器，其特征在于，包括：衬底(1)；在衬底(1)上原位生长的Ⅲ族氮化物半导体材料，所述Ⅲ族氮化物半导体材料包括依次生长的低温GaN成核层(2)、GaN材料(3)、Si掺杂的N型GaN材料(4)和AlN材料(5)；AlN台面(8)，对AlN材料(5)进行掩膜，刻蚀出AlN台面(8)；Ni电极(6)，在AlN台面(8)上制作Ni电极(6)；Ti/Al电极(7)，在Si掺杂的N型GaN材料(4)上制作Ti/Al电极(7)。 | ||
| 地址 | 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号 | ||