| 发明名称 |
HETEROSTRUCTURE INCLUDING A COMPOSITE SEMICONDUCTOR LAYER |
| 摘要 |
전자 또는 광전자 디바이스에 사용하기 위한 이종 접합 구조가 제공된다. 이종 접합 구조는 하나 이상의 합성물 반도체 층들을 포함한다. 합성물 반도체 층은 가변 모폴러지의 서브-층들을 포함할 수 있고, 이들의 적어도 하나는 기둥 구조들 (예를 들어, 나노와이어들)의 그룹에 의해 형성될 수 있다. 합성물 반도체 층내 다른 서브-층은 다공성, 연속적인, 또는 부분적으로 연속적일 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160075662(A) |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
| 申请号 |
KR20167013605 |
申请日期 |
2014.10.21 |
| 申请人 |
SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
SHATALOV MAXIM S.;JAIN RAKESH;YANG JINWEI;DOBRINSKY ALEXANDER;SHUR MICHAEL;GASKA REMIGIJUS |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L21/02;H01L29/15;H01L29/20;H01L29/205 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
