一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法

摘要

一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法，涉及晶体硅材料。所述含有钛杂质中间带的晶体硅材料包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×10¹⁹-1×10²²cm^-3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×10⁴～1×10⁵cm^-1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。在硅片表面制备一层钛薄膜；把带有钛薄膜的硅片用激光辐照；把激光辐照后的硅片进行退火处理；将退火后的硅片进行腐蚀，制得含有钛杂质中间带的晶体硅材料。使钛的注入浓度超过Mott转变浓度，可形成杂质中间带。可用来制备高灵敏红外探测器。

主权项

一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料，其特征在于包括硅层和中间带层，所述中间带层位于硅层上表面，中间带层的深度为0.2～1.0μm，注入浓度为6×10¹⁹‑1×10²²cm^‑3，中间带层的波长范围为1～3μm，红外光的吸收系数超过1×10⁴cm^‑1，中间带层的少子寿命为硅层材料少子寿命的5～20倍。