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전기 특성이 우수하고, 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치를 적은 공정으로 제작하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. In, Ga, 및 Zn을 포함하는 산화물 반도체막 위에 채널 보호층을 형성한 후, n형의 도전형을 갖는 막과, 도전막을 성막하고, 도전막 위에 레지스트 마스크를 형성한다. 이 레지스트 마스크와 함께, 채널 보호층 및 게이트 절연막을 에칭 스토퍼로서 이용하고, 도전막과, n형의 도전형을 갖는 막과, In, Ga, 및 Zn을 포함하는 산화물 반도체막을 에칭하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과, 버퍼층과, 반도체층을 형성한다. |
