为进一步处理保护硫化镉的器件及方法

摘要

本发明名称为“为进一步处理保护硫化镉的器件及方法”。一般地提供了用于保护衬底12上硫化镉层18的方法。在一个具体实施例中，该方法能包括：在10mTorr到约150mTorr的溅射压力，从硫化镉靶将硫化镉层18溅射到衬底上，并在硫化镉层上直接溅射盖层19。盖层19能在10mTorr到约150mTorr的溅射压力从硫化镉靶直接溅射到硫化镉层18上，而不破坏溅射压力。还一般地提供了用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件10的方法。

主权项

一种为对光伏器件进行进一步处理而保护硫化镉层的方法，所述方法包括：在溅射压力从硫化镉靶将硫化镉层溅射到衬底上；以及在所述硫化镉层上直接溅射碲化镉的盖层以形成受保护的硫化镉层，而不破坏所述溅射压力的真空，将所述受保护的硫化镉层转移到环境气氛或将其暴露到可能污染所述硫化镉层但由于保护层而不会污染所述硫化镉层的其它材料；并且在其后沉积随后的碲化镉层以形成所述光伏器件。