能双面吸取的半导体承盘结构

摘要

本实用新型提供一种能双面吸取的半导体承盘结构，主要通过于半导体承盘的基底部两面分别设置第一吸取区及第二吸取区，第一吸取区及第二吸取区分别供真空装置真空吸引，据此，使该半导体承盘除了有被由上吸引的真空吸引力所吸取之外，由下吸引的真空装置则提供半导体承盘下方的承托，即使其中一个真空装置无预警地失效或是真空效果减弱，双面的吸取将能大幅避免半导体承盘无预警掉落的状况发生，而能提高整体制程合格率、确保预期的经济效益。

主权项

一种能双面吸取的半导体承盘结构，包含基底部，所述基底部的一面设置第一吸取区，另一面设置第二吸取区，且所述基底部上设置复数承载区，其特征在于，所述第一吸取区由第一凸垣所构成，所述第一凸垣为封闭的轮廓形状，所述第一凸垣的一端衔接于所述基底部；所述第二吸取区由第二凸垣所构成，所述第二凸垣为封闭的轮廓形状，所述第二凸垣的一端衔接于所述基底部；所述基底部设置所述第一吸取区、所述第二吸取区的各面分别设置各所述承载区，且各所述承载区具有半导体容槽，位于所述第一吸取区、所述第二吸取区内的所述半导体容槽的槽底更设置凹槽，而位于所述第一吸取区、所述第二吸取区外的所述半导体容槽的槽底则设置贯通的一开口。