一种三线制LVDT的绕线工艺

摘要

本发明涉及一种三线制LVDT的绕线工艺，所述工艺步骤如下：第一步：次级Ⅰ绕线、第二步：次级Ⅱ绕线、第三步：左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。本发明的有益效果是：本发明不用初级线圈，仅用次级按等差级数排列，两组线圈串接，线性度为0.2％，温度系数为0.014/F.S/℃，按照本发明的技术方案制成的产品既具备了TD‑1系列产品较短的外形尺寸，也同时保证了线性度达到国家标准。

主权项

一种三线制LVDT的绕线工艺，其特征在于：所述工艺步骤如下：第一步：次级Ⅰ绕线：绕线从中点即230mm处开始，次级Ⅰ向右密绕2层，每层662.8圈；第3层为间绕A，密绕331.4圈，间绕A；第4层间绕A，拉出一根引出线，与左半边第5层开始线在外部连接；第二步：次级Ⅱ绕线：次级Ⅱ从中点向左密绕2层，每层662.8圈；第3层为密绕331.4圈，间绕B；第4层间绕B，接下去绕右半边第5层，密绕331.4圈，间绕B；第6层间绕B，结束为次级Ⅱ尾；左半边从第5层中点开始，向左密绕331.4圈，间绕A；第6层间绕A，结束为次级Ⅰ尾；第三步：左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。