发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 표시 장치의 해상도가 높아짐에 따라, 화소 수, 게이트선 수 및 신호선 수가 증가한다. 게이트선 수 및 신호선 수가 증가하면, 게이트선과 신호선을 구동하기 위한 구동 회로를 포함하는 IC 칩을 본딩 등에 의해 실장하는 것이 어렵기 때문에, 제조 비용이 증가하는 문제가 있다. 동일 기판 위에 화소부와 화소부를 구동하는 구동 회로를 배치하고, 구동 회로의 적어도 일부는, 산화물 반도체의 아래와 위에 게이트 전극이 배치된 그 산화물 반도체를 이용하는 박막 트랜지스터를 포함한다. 따라서, 화소부와 구동부를 동일 기판 위에 설치하면, 제조 비용을 줄일 수 있다.
申请公布号 KR20160072845(A) 申请公布日期 2016.06.23
申请号 KR20167015835 申请日期 2009.09.28
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 MIYAIRI HIDEKAZU;OSADA TAKESHI;YAMAZAKI SHUNPEI
分类号 H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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