一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法

摘要

本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构，依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力，或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力，在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态；当磁场写入时控制应力使其处于铁磁状态，通过耦合作用降低磁性介质层的矫顽力，从而降低写入磁头的写入磁场，降低能耗；当磁场写入完毕后控制应力使变磁性材料处于反铁磁状态，磁性介质层的矫顽力恢复到原来的状态，从而增加存储密度，提高磁性存储器件的数据存储安全性。

主权项

一种应力辅助磁存储器件，其特征是：具有多层膜结构，该多层膜结构包括：衬底层；变磁性材料层，所述变磁性材料层位于衬底层上，在应力作用下所述变磁性材料的磁性可在反铁磁性、铁磁性间发生转变；磁性介质层，所述磁性存储层位于变磁性材料层上，具有磁各向异性，用于进行磁性记录；所述磁性介质层与变磁性材料层之间具有耦合作用；保护层，所述保护层位于磁性记录层上，以保护所述磁性记录层；所述衬底为柔性衬底，在磁场写入时，柔性衬底受到形变发生装置作用而发生形变、产生应力，变磁性材料在该应力作用下从反铁磁性转变为铁磁性；或者，所述衬底为铁电材料衬底，该铁电材料衬底连接电压发生装置，在磁场写入时，电压发生装置对铁电材料衬底施加电压，通过压电效应产生应力，变磁性材料在该应力作用下从反铁磁性转变为铁磁性。