发明名称 | 一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路 | ||
摘要 | 本发明提供了一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路,包括第一滤波电路网络(1)、第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)、50欧姆微带线(4)、X波段场效应晶体管(7),第一滤波电路网络(1)依次通过第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)连接到50欧姆微带线(4)一侧上,X波段场效应晶体管(7)的漏极也连接在50欧姆微带线(4)上,其特征在于,还包括第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)、第二滤波电路网络(8),第二滤波电路网络(8)依次通过第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)连接到50欧姆微带线(4)另一侧上。 | ||
申请公布号 | CN105680846A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
申请号 | CN201410670783.4 | 申请日期 | 2014.11.20 |
申请人 | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 | 发明人 | 吕高庆;方建洪;王默然 |
分类号 | H03K19/094(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/094(2006.01)I |
代理机构 | 中国航空专利中心 11008 | 代理人 | 杜永保 |
主权项 | 一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路,包括第一滤波电路网络(1)、第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)、50欧姆微带线(4)、X波段场效应晶体管(7),第一滤波电路网络(1)依次通过第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)连接到50欧姆微带线(4)一侧上,X波段场效应晶体管(7)的漏极也连接在50欧姆微带线(4)上,其特征在于,还包括第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)、第二滤波电路网络(8),第二滤波电路网络(8)依次通过第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)连接到50欧姆微带线(4)另一侧上。 | ||
地址 | 214063 江苏省无锡市梁溪路108号 |