一种TFT基板、显示装置以及制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT基板、显示装置以及制造方法，该TFT基板包括基板以及形成在所述基板上的第一TFT结构和第二TFT结构，其中第一TFT结构包括第一栅极图案和第一半导体图案，第一半导体图案划分为第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一沟道区与第一栅极图案对应设置，进而能够在第一栅极图案的作用下形成第一导电沟道，第一掺杂区延伸至第二TFT结构内并作为第二TFT结构的第二栅极图案。本发明TFT基板、显示器以及制造方法，通过利用开关TFT漏极掺杂作为驱动TFT栅极的布局方式，节省了布局空间，有利于更高PPI的实现。

主权项

一种TFT基板，其特征在于，包括基板以及形成在所述基板上的第一TFT结构和第二TFT结构，其中所述第一TFT结构包括第一栅极图案和第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为第一沟道区以及位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，所述第一沟道区与所述第一栅极图案对应设置，进而能够在所述第一栅极图案的作用下形成第一导电沟道，所述第一掺杂区延伸至所述第二TFT结构内并作为所述第二TFT结构的第二栅极图案。