| 发明名称 | 基于ITO材料的吸收型光调制器结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了基于ITO材料的吸收型光调制器结构，其主旨在于提供一种调制深度高、消光比高，且同时具有小尺寸、低插入损耗、低功耗、高速率的基于ITO材料的吸收型光调制器结构。其包括基底层（1），在基底层（1）上设置有呈梯形结构的第一光波导层（2），第一光波导层（2）上依次设置有ITO层（4）、HfO<sub>2</sub>隔离层（5）、第二光波导层（3）。用于光子集成及光纤通信系统中。 | ||
| 申请公布号 | CN105676484A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610226225.8 | 申请日期 | 2016.04.13 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 刘永;夏瑞杰;叶胜威;袁飞;陆荣国;张雅丽 |
| 分类号 | G02F1/01(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人 | 徐金琼 |
| 主权项 | 基于ITO材料的吸收型光调制器结构，包括基底层（1），在基底层（1）上设置有呈梯形结构的第一光波导层（2），第一光波导层（2）上依次设置有ITO层（4）、HfO<sub>2</sub>隔离层（5）、第二光波导层（3）。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||