| 发明名称 | 光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备，其中，光电转换装置具有高光敏度且可靠性高，光电转换装置的制造方法能够稳定地制造该光电转换装置。作为光电转换装置的图像传感器(100)，其特征在于，具备：下部电极(21)，包含高熔点金属；上部电极(25)，配置在下部电极(21)的上层；p型半导体层(23)和n型半导体层(24)，配置在下部电极(21)与上部电极(25)之间；以及中继电极(26)，包含高熔点金属，下部电极(21)和中继电极(26)形成于同一层，在下部电极(21)上形成有高熔点金属的硒化膜、即中间层(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN105679847A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201510857641.3 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 工藤学 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种光电转换装置，其特征在于，具备：第一电极，包含第一金属；第二电极，配置在所述第一电极的上层；半导体层，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及第三电极，包含所述第一金属，所述第一电极和所述第三电极形成于同一层，在所述第一电极上形成有所述第一金属的硒化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||