三结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1.93 eV、1.39 eV、0.94 eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。

主权项

一种三结太阳电池，其特征在于，包括依次设置的AlGaInAs 过渡层、InGaAs 底电池、第一隧道结、InGaAsP 中间电池、第二隧道结、InAlAs 顶电池以及欧姆接触层，所述AlGaInAs 过渡层选择In 组分步进以及Al 和/ 或Ga 组分步进的AlyGa1‑x‑yInxAs 材料作为渐变过渡层，x 的取值由0 变化至0.38，y 的取值由1 变化至0.64。