| 发明名称 | 一种基于硅通孔结构的金属填充方法及硅通孔结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及三维集成电路技术领域，尤其涉及一种基于硅通孔结构的金属填充方法及硅通孔结构，所述方法包括：当承载衬底和顶硅片键合后，在所述顶硅片上刻蚀硅通孔；向所述硅通孔内顺次淀积绝缘层和阻挡层；在所述阻挡层的表面利用原子层淀积方式淀积金属种子层；在所述金属种子层的表面淀积金属导体层。本发明通过在阻挡层和金属导体层之间增加金属种子层，能够避免导体断层所带来的电路断路，同时，以原子层淀积方式实现金属种子层的淀积无论对任何形貌都具有良好的表面覆盖性，保证阻挡层的表面能够完全覆盖金属种子层，进一步避免导体断层所带来的电路断路，提高了金属填充的工艺可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105679703A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610170209.1 | 申请日期 | 2016.03.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 云世昌;焦斌斌;王桂磊;孔延梅;张乐民;俞利民;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 房德权 |
| 主权项 | 一种基于硅通孔结构的金属填充方法，其特征在于，所述方法包括：当承载衬底和顶硅片键合后，在所述顶硅片上刻蚀硅通孔；向所述硅通孔内顺次淀积绝缘层和阻挡层；在所述阻挡层的表面利用原子层淀积方式淀积金属种子层；在所述金属种子层的表面淀积金属导体层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||