发明名称 |
一种双通道类金刚石碳膜沉积装置 |
摘要 |
本发明涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,真空室的上盖与真空室的室底相对,真空室的侧壁连接上盖和室底;阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部,阳极靶与阴极靶相对设置,阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间;驱动机构穿过室底与阴极靶相连;第一连接通道和第二连接通道在并联后,串联在抽真空装置和真空室之间,连通抽真空装置与真空室,第一连接通道的直径为第二连接通道的直径的3倍;第一调节阀设置在第一连接通道与真空室连通处;第二调节阀设置在第二连接通道与真空室连通处。本申请通过在抽真空装置与真空室之间设置两个连接通道,通过对两个连接通道的开闭程度的调节,能够精确的控制沉积装置内部气流的均匀性。 |
申请公布号 |
CN105671516A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610200281.4 |
申请日期 |
2016.03.31 |
申请人 |
成都西沃克真空科技有限公司 |
发明人 |
向勇;傅绍英;徐子明;杨小军;孙力 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 |
代理人 |
詹守琴 |
主权项 |
一种双通道类金刚石碳膜沉积装置,其特征在于,包括真空室、阳极靶、阴极靶、驱动机构、抽真空装置、第一连接通道、第二连接通道、第一调节阀和第二调节阀;所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对,所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底,以形成一腔室;所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部,且,所述阳极靶与所述阴极靶相对设置,所述阴极靶位于所述真空室的室底与所述阳极靶之间;所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连;所述第一连接通道和所述第二连接通道在并联后,串联在所述抽真空装置和所述真空室之间,以连通所述抽真空装置与所述真空室,其中,所述第一连接通道的直径为所述第二连接通道的直径的3倍;所述第一调节阀设置在所述第一连接通道与所述真空室连通处;所述第二调节阀设置在所述第二连接通道与所述真空室连通处。 |
地址 |
610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港(双流园区)东海路六段680号 |