发明名称 | 图案验证方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种图案验证方法。首先将该目标图案分解为一第一图案以及一第二图案,接着对第一图案进行一第一光学邻近校正制作工艺,以获得一第一校正图案,以及对第二图案进行一第二光学邻近校正制作工艺,以获得一第二校正图案。接着进行一检验步骤,包含考虑目标图案、第一图案、第一校正图案、第二图案、第二校正图案以及硬掩模蚀刻制作工艺的参数。 | ||
申请公布号 | CN105679656A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
申请号 | CN201410673518.1 | 申请日期 | 2014.11.21 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 谢德贤;陈明瑞;王正德;李静怡;马健原;陈彦群 |
分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F1/76(2012.01)I;G03F1/36(2012.01)I;G03F1/44(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
主权项 | 一种图案验证(pattern verifying)方法,使用于一双重图案化技术(double patterning technology,DPT),以通过一硬掩模蚀刻制作工艺以形成一图案化硬掩模层,该图案化硬掩模层具有目标图案,该双重图案化技术包含使用一第一光掩模以及一第二光掩模,其中该图案验证方法包含:使用一电脑系统,将该目标图案分解(decompose)为一第一图案以及一第二图案;对该第一图案进行一第一光学邻近校正(optical proximity correction,OPC)制作工艺,以获得一第一校正图案,以及对该第二图案进行一第二光学邻近校正制作工艺,以获得一第二校正图案;以及进行一检验步骤,包含考虑该目标图案、该第一图案、该第一校正图案、该第二图案、该第二校正图案以及该硬掩模蚀刻制作工艺的参数。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 |