发明名称 一种SiC改性C/C-MoSi<sub>2</sub>复合材料的制备方法
摘要 一种SiC改性C/C-MoSi<sub>2</sub>复合材料的制备方法,将二硅化钼、SiC粉体分散于去离子水中,得到混合物,将混合物搅拌均匀后得到悬浮液;将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中,并加入无水乙醇后,于160~220℃进行水热反应8~12h,水热反应结束后取出C/C试样并重复至MoSi<sub>2</sub>及SiC粉体渗透进入C/C试样内部;并采用等温化学气相渗透致密化,2500℃石墨化后得到SiC改性C/C-MoSi<sub>2</sub>复合材料。本发明制备的SiC改性C/C-MoSi<sub>2</sub>复合材料密度适中,结构致密,界面结合良好,抗烧蚀性能良好。本发明原料容易获得,制备工艺简单,操作简便,成本低,环境友好无污染。
申请公布号 CN105669232A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610060631.1 申请日期 2016.01.28
申请人 陕西科技大学 发明人 曹丽云;白喆;黄剑锋;欧阳海波;李艳;孔新刚;费杰;卢靖;王程;李嘉胤;介燕妮
分类号 C04B35/84(2006.01)I;C04B35/83(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I 主分类号 C04B35/84(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 安彦彦
主权项 一种SiC改性C/C‑MoSi<sub>2</sub>复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将密度为0.4~0.6g/cm<sup>3</sup>的多孔碳/碳复合材料切割成圆形薄片,得到C/C试样;2)将粒径为100~200nm的SiC、粒径为0.8~1μm的二硅化钼粉体按质量比(0.5~1):(2~4)分散于去离子水中,搅拌均匀后得到悬浮液;3)将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中,并加入无水乙醇后,于160~220℃进行水热反应24~48h,水热反应结束后取出C/C试样并洗涤,干燥;4)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化,等温化学气相渗透的沉积温度为1100℃,沉积时间为60~80h,采用天然气作为碳源,并且天然气流量为1.5~2.5m<sup>3</sup>/h;5)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h,得到SiC改性C/C‑MoSi<sub>2</sub>复合材料。
地址 710021 陕西省西安市未央区大学园1号
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