| 发明名称 | 一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P-N-P-N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工艺步骤，不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图，不增加原有系统的复杂性。因此，不会改变器件的固有尺寸，也不会增加外围电路。 | ||
| 申请公布号 | CN105679658A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610065541.1 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 西北核技术研究所 | 发明人 | 郭红霞;潘霄宇;罗尹虹;丁李利;张凤祁;魏佳男;赵雯;王园明;刘玉辉 |
| 分类号 | H01L21/263(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/263(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 杨亚婷 |
| 主权项 | 一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，其特征在于：对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P‑N‑P‑N闭锁。 | ||
| 地址 | 710024 陕西省西安市69信箱 | ||