同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法

摘要

本发明公开了一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，包括以下步骤：步骤一、在硅基板上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形；步骤四、在硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜；步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比；步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。本发可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开口的沟槽里的填充物不被去除，工艺简单，效果明显。

主权项

一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，所述深沟槽开口尺寸为0.8微米至100微米，深度为2微米至10微米，深宽比为0.02至12.5，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形；步骤四、在硅衬底上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜，所述深沟槽的填充采用常压或低压化学气相淀积生长工艺，生长厚度为1000～10000埃，填充厚度为深沟槽深度的1/2到1/5；步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比；步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。