ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法

摘要

より放熱性の高いIII族窒化物半導体素子と、かようなIII族窒化物半導体素子をより高い歩留まりで作製することが可能なIII族窒化物半導体素子の製造方法とを提供する。本発明のIII族窒化物半導体素子１００の製造方法は、成長用基板の上に、ｎ層１０８、活性層１１０およびｐ層１１２を順次積層してなる半導体構造部１１４を形成し、半導体構造部１１４のｐ層側に、ｎ層と電気的に接続してｎ側電極として機能する第１サポート体１３６と、ｐ層と電気的に接続してｐ側電極として機能する第２サポート体１３８と、第１および第２サポート体１３６，１３８を絶縁する絶縁体からなる構造物１２８，１４０と、からなる支持体１４６を形成し、リフトオフ法を用いて前記成長用基板を剥離する。第１サポート体１３６および第２サポート体１３８は、メッキにより成長させる。